該技術(shù)處于世界領(lǐng)先水平,可實(shí)現(xiàn)超大帶寬、超低功耗、超大容量的嵌入式DRAM,多款定制產(chǎn)品成功實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)
基于SeDRAM™技術(shù)的多款產(chǎn)品和研究成果,先后于多個(gè)業(yè)界頂級(jí)期刊上公開發(fā)表和作專題報(bào)告
歷時(shí)七年研發(fā)成功,充分發(fā)揮公司在DRAM和ASIC長(zhǎng)期的技術(shù)積累和綜合優(yōu)勢(shì)